GigaDevice Semiconductor con sede en China y Hefei RuiLi Integrated Circuit Manufacture (anteriormente Hefei ChangXin IC) se unirán para desarrollar tecnología de proceso DRAM de 19nm para la producción de obleas de 12 pulgadas con una inversión total de CNY 18,000 millones (Unos USD $ 2,71 mil millones), una movida ampliamente prevista para marcar el […]
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