La memoria DDR4 ha representado un salto significativo comparado a la generación previa ya que ha permitido reducir el consumo de energía, poder alcanzar frecuencias más altas, y porque será posible tener módulos de mayor capacidad. Esto último lo acaba de demostrar Samsung con el anuncio de que han iniciado la producción en masa de los primeros módulos RDIMM de memoria DDR4 para servidores que ofrecen la masiva capacidad de 128GB. Los nuevos módulos de 128GB se caracterizan por estar utilizar 144 chips de memoria DDR4, los cuales están distribuidos a través de 36 empaquetados de 4GB, donde se localizan cuatro chips de 8Gb fabricados a 20nm que usan la Tecnología TSV (through silicon via) que introdujo Samsung por allá del 2014. Lo anterior se refiere a que los componentes de los chips de memoria DRAM no están conectados mediante cables como usualmente ocurre, sino a través de "cientos de pequeños orificios que están conectados verticalmente" para que los electrones pasen. El resultado de tener memoria DRAM con diseño TSV se traduce en una "mejora significativa en la transmisión de señal" que de acuerdo a Samsung asciende a los 2400 Mbps, lo cual viene siendo el doble del rendimiento que entregan módulos LRDIMM actuales de 64GB que se usan en servidores. Otra ventaja importante de este diseño es que los módulos DDR4 también son más eficientes ya que se habla de una reducción de hasta 50% en consumo de energía, lo cual es una noticia aún más importante en …