Samsung quiere lanzar sus primeros chips de memoria flash con 236 capas y lo haría este mismo año con la firme intención de ganarle en esta carrera a marcas como SK Hynix, Micron o Kioxia.
La empresa estableció un nuevo centro de I+D y lo quiere tener preparado a finales de este mes, donde se investigará y desarrollará tecnología flash NAND de primera calidad.
La tecnología permitirá conseguir esta cantidad de capas gracias a Extreme 2-stack que fue anunciada hace un par de años, utilizando el grabado extremo para conseguir pilas más altas.

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Samsung busca sus nuevos chips para finales del 2022
Samsung utilizó la misma tecnología Extreme 2-stack para el desarrollo de los actuales chips flash NAND de 176 capas, pero los cálculos indican que podría ayudar para alcanzar las 236 capas.
La empresa escogió llegar hasta las 176 capas con el objetivo de alcanzar una optimización, sin embargo ahora quieren dar el salto y lograr la máxima cantidad.
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Los chips alcanzaron este nivel capas y los surcoreanos no son los únicos, pues SK Hynyx y Micron anunciaron la creación de procesadores flash NAND basados en 232 y 236 capas.
Samsung lideró la cuota de mercado de flash NAND en el primer trimestre del 2022 con un 35,3% según diferentes reportes, por lo que tendría un éxito asegurado de salida basándonos en …