En estos días se lleva a cabo el Snapdragon Tech Summit de Qualcomm en Hawaii, y en una de las conferencias inaugurales del magno evento se ha hecho oficial la existencia del Snapdragon 845, la próxima joya de la corona del fabricante de semiconductores.

Sus principales características son la fabricación utilizando los mismos proceso FinFET y arquitectura octa-core de su antecesor. Sin embargo, ahora la inteligencia artificial toma un papel más presente, siguiendo los pasos de la competencia.

LTE Cat. 18 a 1.2 Gbps

Otra de las principales novedades del Snapdragon 845 es la de su módem X20 capaz de alcanzar LTE Cat. 18, es decir que, siempre y cuando las redes lo permitan, podremos navegar hasta a 1.2 Gbps. Esta velocidad no es nueva, el Kirin 970 fue el primer semiconductor en estrenarla.

Regresando al tema del proceso de fabricación, Qualcomm ha decidido esperar para dar el salto al proceso FinFET de 7 nanómetros. Es así que repite fabricación en 10 nanómetros, cortesía de Samsung, firma que estará a cargo de la producción del chipset. Sin embargo, esta segunda generación de semiconductores de 10 nm consumirá hasta un 15% menos de energía, según los comentarios de la compañí, gracias a una nueva técnica de fabricación de Samsung.

Dentro del Snapdragon 845 latirán ocho corazones, cuatro Cortex A75 para uso intenso y cuatro Cortex A53 para ahorro de energía en tareas menos demandantes, en configuración de dos clusters Kryo 280. La GPU encargada del desempeño gráfico será la Adreno …